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品項附註
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产品概述
950nm emitting diode in GaAs technology in a hermetically sealed package suitable for use in radiation source in near infrared range.
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Angle of half intensity: ϕ = ±5°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
峰值波长
950nm
二极管封装类型
TO-18
上升时间
800ns
正向电流 If 平均值
100mA
工作温度最小值
-°C
汽车质量标准
-
湿气敏感性等级
-
半强角度
5°
辐射强度 (Ie)
800mW/Sr
衰减时间 tf
-ns
正向电压 Vf 最大值
1.3V
工作温度最高值
-°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000334