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VSLY5850
红外发射器, 高速, 850 nm, 3 °, T-1 3/4 (5mm), 10 mW/Sr, 10 ns, 10 ns
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产品概述
The VSLY5850 is a 850nm Infrared Emitting Diode based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensity, high optical power and high speed and moulded in a clear. It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras, high speed IR data transmission, smoke-automatic fire detectors and IR flash.
- Leads with stand-off
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- ±3° Narrow angle of half intensity
技术规格
峰值波长
850nm
二极管封装类型
T-1 3/4 (5mm)
上升时间
10ns
正向电流 If 平均值
100mA
工作温度最小值
-40°C
汽车质量标准
-
湿气敏感性等级
-
半强角度
3°
辐射强度 (Ie)
10mW/Sr
衰减时间 tf
10ns
正向电压 Vf 最大值
1.9V
工作温度最高值
85°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454