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VSLY5850
红外发射器, 高速, 850 nm, 3 °, T-1 3/4 (5mm), 10 mW/Sr, 10 ns, 10 ns
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY6.860 (CNY7.7518) |
| 25+ | CNY6.480 (CNY7.3224) |
| 50+ | CNY6.100 (CNY6.893) |
| 100+ | CNY5.710 (CNY6.4523) |
| 500+ | CNY4.820 (CNY5.4466) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号VSLY5850
库存编号1870807
技术数据表
峰值波长850nm
半强角度3°
二极管封装类型T-1 3/4 (5mm)
辐射强度 (Ie)10mW/Sr
上升时间10ns
衰减时间 tf10ns
正向电流 If 平均值100mA
正向电压 Vf 最大值1.9V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
汽车质量标准-
产品范围-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (07-Nov-2024)
产品概述
The VSLY5850 is a 850nm Infrared Emitting Diode based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensity, high optical power and high speed and moulded in a clear. It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras, high speed IR data transmission, smoke-automatic fire detectors and IR flash.
- Leads with stand-off
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- ±3° Narrow angle of half intensity
技术规格
峰值波长
850nm
二极管封装类型
T-1 3/4 (5mm)
上升时间
10ns
正向电流 If 平均值
100mA
工作温度最小值
-40°C
汽车质量标准
-
湿气敏感性等级
-
半强角度
3°
辐射强度 (Ie)
10mW/Sr
衰减时间 tf
10ns
正向电压 Vf 最大值
1.9V
工作温度最高值
85°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454