打印页面
VSMB1940X01
红外发射器, 940 nm, 60 °, 0805, 6 mW/Sr, 15 ns, 15 ns
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
49 有货
3,000 您现在可以预订货品了
49 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY6.700 (CNY7.571) |
| 10+ | CNY4.660 (CNY5.2658) |
| 25+ | CNY4.250 (CNY4.8025) |
| 50+ | CNY3.840 (CNY4.3392) |
| 100+ | CNY3.420 (CNY3.8646) |
| 500+ | CNY2.880 (CNY3.2544) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY6.70 (CNY7.57 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号VSMB1940X01
库存编号1779752
技术数据表
波长峰值940nm
半强角度60°
二极管封装类型0805
辐射强度 (Ie)6mW/Sr
上升时间15ns
衰减时间 tf15ns
正向电流 If 平均值100mA
正向电压 Vf 最大值1.35V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
汽车质量标准AEC-Q101
产品范围GaAlAs Double Hetero IR Diode
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (07-Nov-2024)
产品概述
The VSMB1940X01 is an infrared, 940nm emitting diode in GaAlAs Double Hetero technology with high radiant power and high speed, moulded in clear, untinted 0805 plastic package for surface mounting (SMD). It is suitable for use in high speed IR data transmission, high power emitter for low space applications, high performance transmissive or reflective sensors.
- Package form: 0805
- Dimensions (L x W x H in mm): 2 x 1.25 x 0.85
- Peak wavelength: λp = 940nm
- High radiant intensity
- Angle of half sensitivity: ϕ = ±60°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
技术规格
波长峰值
940nm
二极管封装类型
0805
上升时间
15ns
正向电流 If 平均值
100mA
工作温度最小值
-40°C
汽车质量标准
AEC-Q101
MSL
MSL 3 - 168小时
半强角度
60°
辐射强度 (Ie)
6mW/Sr
衰减时间 tf
15ns
正向电压 Vf 最大值
1.35V
工作温度最高值
85°C
产品范围
GaAlAs Double Hetero IR Diode
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
技术文档 (1)
VSMB1940X01 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000191