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| 10+ | CNY22.990 (CNY25.9787) |
| 25+ | CNY21.560 (CNY24.3628) |
| 50+ | CNY20.120 (CNY22.7356) |
| 100+ | CNY18.680 (CNY21.1084) |
| 500+ | CNY18.240 (CNY20.6112) |
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产品概述
The VSMY98545 is a 850nm Infrared Emitting Diode based on surface emitter technology with high radiant power and high speed. A 42mil chip provides outstanding low forward voltage and allows DC operation of the device up to 1A. It has the floor life of 168h, MSL 3, according to J-STD-020. It is suitable for use in infrared illumination for CMOS cameras (CCTV), illumination for cameras (3D gaming) and machine vision and bio identification.
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Low forward voltage
- Lead (Pb)-free reflow soldering
- ±45° Angle of half intensity
技术规格
峰值波长
850nm
二极管封装类型
SMD
上升时间
15ns
正向电流 If 平均值
1A
工作温度最小值
-40°C
汽车质量标准
-
湿气敏感性等级
-
半强角度
45°
辐射强度 (Ie)
15mW/Sr
衰减时间 tf
18ns
正向电压 Vf 最大值
2.3V
工作温度最高值
95°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0037