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C2M0045170P
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 Plus
已停产
C2M0045170P 的替代之选
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产品概述
C2M0045170P 是一款 C2M™ 碳化硅 N 沟道增强型功率 MOSFET。应用包括太阳能逆变器、开关模式电源、高压直流/直流转换器、电机驱动、脉冲功率应用。
- 第二代 SiC MOSFET 技术，优化封装，带独立驱动源极引脚
- 漏极与源极间8mm爬电距离，抗锁定效应
- 高耐压与低导通电阻兼备，高速开关与低电容特性
- 降低开关损耗，最小化栅振荡
- 提升系统效率，降低散热需求
- 提升功率密度，提高系统开关频率
- 漏源击穿电压为1700V（最小值，VGS=0V，ID=100μA，TC=25°C）
- 典型栅极阈值电压3V（VDS=VGS，ID=18mA，TC=25°C）
- 漏源导通电阻典型值40Ω（VGS=20V，ID=50A，TC=25°C）
- 工作结温范围: -40至50°C
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有变动。产品不享受折扣。
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
72A
漏源接通状态电阻
0.045ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
2.6V
工作温度最高值
150°C
湿气敏感性等级
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.7kV
晶体管封装类型
TO-247 Plus
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
520W
产品范围
C2M
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005