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C2M0045170P
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 Plus
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY801.530 (CNY905.7289) |
| 5+ | CNY801.260 (CNY905.4238) |
| 10+ | CNY800.980 (CNY905.1074) |
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产品概述
C2M0045170P is a C2M™ silicon carbide, N-channel enhancement mode power MOSFET. applications include solar inverters, switch mode power supplies, high voltage DC/DC converters, motor drive, pulsed power applications.
- 2nd generation SiC MOSFET technology, optimized package with separate driver source pin
- 8mm of creepage distance between drain and source, resistant to latch-up
- High blocking voltage with low on-resistance, high speed switching with low capacitances
- Reduce switching losses and minimize gate ringing
- Higher system efficiency, reduced cooling requirements
- Increased power density, increased system switching frequency
- Drain-source breakdown voltage is 1700V min (VGS = 0V, ID = 100μA, TC = 25°C)
- 3V typical gate threshold voltage (VDS = VGS, ID = 18mA, TC = 25°C)
- 40 ohm typical drain-source on-state resistance at VGS = 20V, ID = 50A, TC = 25°C
- Operating junction temperature range from -40 to 50°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
72A
漏源接通状态电阻
0.045ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
2.6V
工作温度最高值
150°C
MSL
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.7kV
晶体管封装类型
TO-247 Plus
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
520W
产品范围
C2M
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005