打印页面
101 有货
需要更多?
101 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
数量 | 价钱 (含税) |
---|---|
1+ | CNY335.110 (CNY378.6743) |
5+ | CNY323.820 (CNY365.9166) |
10+ | CNY312.540 (CNY353.1702) |
50+ | CNY301.260 (CNY340.4238) |
100+ | CNY289.970 (CNY327.6661) |
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
CNY335.11 (CNY378.67 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品概述
The C3M0021120D is a 1200V silicon carbide power MOSFET in a 3 pin TO-247 package. The 3rd generation planar MOSFET technology includes a rugged intrinsic body diode which allows for 3rd quadrant operation without the need for an additional external diode.
- Industry-leading 21mΩ RDS(on)
- High-speed switching with low output capacitance
- High blocking voltage with low RDS(on)
- Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
- Easy to parallel and simple to drive
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
100A
漏源接通状态电阻
0.021ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
2.5V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
469W
产品范围
C3M
C3M0021120D 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.012701