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C3M0021120D
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
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| 50+ | CNY287.210 (CNY324.5473) |
| 100+ | CNY285.850 (CNY323.0105) |
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产品概述
The C3M0021120D is a 1200V silicon carbide power MOSFET in a 3 pin TO-247 package. The 3rd generation planar MOSFET technology includes a rugged intrinsic body diode which allows for 3rd quadrant operation without the need for an additional external diode.
- Industry-leading 21mΩ RDS(on)
- High-speed switching with low output capacitance
- High blocking voltage with low RDS(on)
- Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
- Easy to parallel and simple to drive
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
100A
漏源接通状态电阻
0.021ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
2.5V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
469W
产品范围
C3M
C3M0021120D 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.012701