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C3M0075120K
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 30.8 A, 1.2kV, 0.075欧姆, 15 V, 2.5 V
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产品概述
- C3MTM SiC (Silicon Carbide) MOSFET technology
- Optimized package with separate driver source pin
- 8mm of creepage distance between drain and source
- High blocking voltage with low on-resistance
- High speed switching with low capacitances
- Reduce switching losses and minimize gate ringing
- Higher system efficiency
- Reduce cooling requirements
- Increase power density and system switching frequency
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
30.8A
漏源接通状态电阻
0.075ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
2.5V
工作温度最高值
150°C
MSL
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
119W
产品范围
C3M
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (12-Jan-2017)
C3M0075120K 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.009072