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XP3C023AMT
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.030 (CNY7.9439) |
| 10+ | CNY5.420 (CNY6.1246) |
| 100+ | CNY3.660 (CNY4.1358) |
| 500+ | CNY2.840 (CNY3.2092) |
| 1000+ | CNY2.480 (CNY2.8024) |
| 5000+ | CNY2.120 (CNY2.3956) |
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产品信息
制造商YAGEO XSEMI
制造商产品编号XP3C023AMT
库存编号4169018
产品范围XP3C023A Series
技术数据表
通道类型N和P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道12A
连续漏极电流 Id P沟道10A
漏源通态电阻N沟道0.0104ohm
漏源导通电阻P沟道0.0235ohm
晶体管封装类型PMPAK
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.57W
耗散功率P沟道3.57W
工作温度最高值150°C
产品范围XP3C023A Series
合规-
技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
10A
漏源导通电阻P沟道
0.0235ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.57W
产品范围
XP3C023A Series
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
12A
漏源通态电阻N沟道
0.0104ohm
晶体管封装类型
PMPAK
耗散功率N沟道
3.57W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001