LTC4440EMS8E#PBF

LTC4440 是一款高频高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，设计用于在 VIN 电压高达 80V 的应用中工作。该器件具有独立于电源的 TTL/CMOS 兼容输入阈值，具有 350mV 的迟滞。输入逻辑信号在内部被平移到自举电源，可在高于地面115V的电压下工作。该器件包含高压侧和低压侧欠压锁定电路，在激活时可禁用外部MOSFET。它被广泛用于电信电源系统、分布式电源架构、服务器电源、高密度电源模块等应用中。

• 坚固的架构，可容忍100V VIN的瞬态
• 输出下拉电阻为1.5 ohm
• 峰值上拉电流为2.4A（典型值）
• 在（10% - 90%，CL = 1nF）时，输出下降时间为7ns
• 在（10% - 90%，CL = 1nF）时，输出上升时间为10ns（典型值）
• 驱动标准阈值MOSFET
• 输入阈值与供应无关
• 欠压锁定
• 工作温度: -40°C到85°C
• 封装方式为8引脚塑料MSOP

注释

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