栅极驱动器:
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比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||||||||||
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每个 包装选项 | 1+ CNY51.300 (CNY57.969)10+ CNY35.850 (CNY40.5105)25+ CNY31.150 (CNY35.1995)50+ CNY28.500 (CNY32.205)100+ CNY25.840 (CNY29.1992)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 4放大器 | - | 全桥 | MOSFET | 20引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 2.6A | 2.4A | 9.5V | 15V | -40°C | 85°C | 60ns | 35ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY13.310 (CNY15.0403)10+ CNY8.970 (CNY10.1361)50+ CNY8.490 (CNY9.5937)100+ CNY8.030 (CNY9.0739)250+ CNY8.020 (CNY9.0626)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | DSO | 表面安装 | - | - | - | 3.5V | 15V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY20.690 (CNY23.3797)10+ CNY15.470 (CNY17.4811)25+ CNY14.190 (CNY16.0347)50+ CNY13.450 (CNY15.1985)100+ CNY12.700 (CNY14.351)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 2放大器 | 隔离式 | 低压侧 | MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 反相 | - | - | 4.5V | 15V | 0°C | 70°C | 20ns | 20ns | - | - | |||||
每个 包装选项 | 10+ CNY35.850 (CNY40.5105)25+ CNY31.150 (CNY35.1995)50+ CNY28.500 (CNY32.205)100+ CNY25.840 (CNY29.1992)250+ CNY24.420 (CNY27.5946)更多价格信息... | 最少:10 / 多个:1 | 4放大器 | - | 全桥 | MOSFET | 20引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 2.6A | 2.4A | 9.5V | 15V | -40°C | 85°C | 60ns | 35ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY25.590 (CNY28.9167)10+ CNY23.630 (CNY26.7019) | 最少:1 / 多个:1 | 6放大器 | - | 高压侧和低压侧 | MOSFET | 24引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 500mA | 500mA | 7V | 15V | -40°C | 125°C | 65ns | 75ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY8.030 (CNY9.0739)250+ CNY8.020 (CNY9.0626)500+ CNY8.010 (CNY9.0513)1000+ CNY8.000 (CNY9.040)2500+ CNY7.990 (CNY9.0287) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | DSO | 表面安装 | - | - | - | 3.5V | 15V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 10+ CNY23.630 (CNY26.7019) | 最少:10 / 多个:1 | 6放大器 | - | 高压侧和低压侧 | MOSFET | 24引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 500mA | 500mA | 7V | 15V | -40°C | 125°C | 65ns | 75ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY20.100 (CNY22.713)10+ CNY13.740 (CNY15.5262)50+ CNY13.040 (CNY14.7352)100+ CNY12.330 (CNY13.9329)250+ CNY11.650 (CNY13.1645)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 9A | 18A | 3V | 15V | -40°C | 125°C | 110ns | 110ns | EiceDRIVER 1ED32xxMC12H | - | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY12.330 (CNY13.9329)250+ CNY11.650 (CNY13.1645)500+ CNY11.290 (CNY12.7577)1000+ CNY10.980 (CNY12.4074)2500+ CNY10.670 (CNY12.0571) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 9A | 18A | 3V | 15V | -40°C | 125°C | 110ns | 110ns | EiceDRIVER 1ED32xxMC12H | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY133.010 (CNY150.3013)10+ CNY105.850 (CNY119.6105)25+ CNY99.040 (CNY111.9152)100+ CNY91.650 (CNY103.5645)250+ CNY84.620 (CNY95.6206)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 2放大器 | - | - | MOSFET | 8引脚 | - | TDFN-EP | 表面安装 | 反相, 非反相 | 4A | 4A | 4V | 15V | -40°C | 125°C | 20ns | 20ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 10+ CNY105.850 (CNY119.6105)25+ CNY99.040 (CNY111.9152)100+ CNY91.650 (CNY103.5645)250+ CNY84.620 (CNY95.6206)2500+ CNY79.490 (CNY89.8237) | 最少:10 / 多个:1 | 2放大器 | - | - | MOSFET | 8引脚 | - | TDFN-EP | 表面安装 | 反相, 非反相 | 4A | 4A | 4V | 15V | -40°C | 125°C | 20ns | 20ns | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY35.970 (CNY40.6461)10+ CNY21.170 (CNY23.9221)25+ CNY20.000 (CNY22.600)50+ CNY18.840 (CNY21.2892)100+ CNY17.660 (CNY19.9558)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 4放大器 | - | 半桥 | MOSFET | 16引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 1A | 1A | 8.5V | 15V | -55°C | 125°C | 40ns | 25ns | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY31.590 (CNY35.6967)10+ CNY30.500 (CNY34.465)25+ CNY29.400 (CNY33.222)50+ CNY28.300 (CNY31.979)100+ CNY27.210 (CNY30.7473)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 4放大器 | - | 全桥 | MOSFET | 20引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 2.6A | 2.4A | 9.5V | 15V | -40°C | 85°C | 40ns | 50ns | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY33.080 (CNY37.3804)10+ CNY25.170 (CNY28.4421)25+ CNY23.160 (CNY26.1708)50+ CNY22.010 (CNY24.8713)100+ CNY20.840 (CNY23.5492)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 4放大器 | - | 全桥 | MOSFET | 16引脚 | - | DIP | 通孔安装 | 非反向 | 1.4A | 1.3A | 8.5V | 15V | -55°C | 125°C | 40ns | 25ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY54.590 (CNY61.6867)10+ CNY41.450 (CNY46.8385)25+ CNY38.610 (CNY43.6293)50+ CNY36.270 (CNY40.9851)100+ CNY33.910 (CNY38.3183)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 4放大器 | - | 半桥和全桥 | MOSFET | 16引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 1.4A | 1.3A | 8.5V | 15V | -55°C | 125°C | 75ns | 55ns | - | - | |||||
INFINEON | 单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY25.320 (CNY28.6116)10+ CNY20.840 (CNY23.5492)25+ CNY19.270 (CNY21.7751)50+ CNY18.490 (CNY20.8937)100+ CNY17.700 (CNY20.001)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 16引脚 | - | DSO | 表面安装 | 反相, 非反相 | - | - | 5V | 15V | -40°C | 105°C | 170ns | 165ns | - | - | ||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY12.640 (CNY14.2832)10+ CNY8.530 (CNY9.6389)50+ CNY8.050 (CNY9.0965)100+ CNY7.570 (CNY8.5541)250+ CNY7.090 (CNY8.0117)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | GaN、Si MOSFET、SiC MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 5.4A | 9.8A | 3V | 15V | -40°C | 125°C | 45ns | 45ns | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY40.100 (CNY45.313)10+ CNY27.790 (CNY31.4027)25+ CNY24.270 (CNY27.4251)50+ CNY22.370 (CNY25.2781)100+ CNY20.470 (CNY23.1311)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 2放大器 | 隔离式 | - | MOSFET | 8引脚 | - | DIP | 通孔安装 | 反相 | - | - | 4.5V | 15V | 0°C | 70°C | 20ns | - | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY41.070 (CNY46.4091)10+ CNY32.410 (CNY36.6233)25+ CNY29.870 (CNY33.7531)50+ CNY28.530 (CNY32.2389)100+ CNY27.190 (CNY30.7247)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 4放大器 | - | 全桥 | MOSFET | 20引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 2.6A | 2.4A | 9.5V | 15V | -40°C | 85°C | 45ns | 30ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY23.870 (CNY26.9731)10+ CNY13.010 (CNY14.7013)100+ CNY9.110 (CNY10.2943)500+ CNY8.830 (CNY9.9779)2500+ CNY8.540 (CNY9.6502)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 非隔离 | 低压侧 | IGBT | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 反相 | 1A | 2A | 0V | 15V | -40°C | 105°C | 80ns | 120ns | - | - | |||||
INFINEON | 单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY10.160 (CNY11.4808)10+ CNY7.250 (CNY8.1925)50+ CNY6.980 (CNY7.8874)100+ CNY6.700 (CNY7.571)250+ CNY6.440 (CNY7.2772)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | - | DSO | 表面安装 | - | - | - | 3.5V | 15V | -40°C | 125°C | 115ns | 120ns | EiceDRIVER 1EDI | - | ||||
每个 | 1+ CNY32.190 (CNY36.3747)10+ CNY23.380 (CNY26.4194)25+ CNY21.360 (CNY24.1368)50+ CNY20.280 (CNY22.9164)100+ CNY19.200 (CNY21.696)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 4放大器 | - | 全桥 | MOSFET | 16引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 1.4A | 1.3A | 8.5V | 15V | -55°C | 125°C | 40ns | 25ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY19.050 (CNY21.5265)10+ CNY17.070 (CNY19.2891)50+ CNY15.420 (CNY17.4246)100+ CNY13.760 (CNY15.5488)250+ CNY12.910 (CNY14.5883)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.3V | 15V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | EiceDRIVER 1EDI | - | |||||
INFINEON | 单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY23.230 (CNY26.2499)10+ CNY17.410 (CNY19.6733)25+ CNY15.920 (CNY17.9896)50+ CNY15.130 (CNY17.0969)100+ CNY14.350 (CNY16.2155)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | - | 14A | 14A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED | - | ||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY11.810 (CNY13.3453)10+ CNY8.300 (CNY9.379)50+ CNY7.960 (CNY8.9948)100+ CNY7.620 (CNY8.6106)250+ CNY7.210 (CNY8.1473)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | MOSFET, SiC MOSFET, GaN功率器件 | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 5.4A | 9.8A | 3V | 15V | -40°C | 125°C | 45ns | 45ns | EiceDRIVER 1EDBx275F | - |