GaAlAs Double Hetero IR Diode 红外线发射器:
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二极管封装类型
辐射强度 (Ie)
上升时间
衰减时间 tf
正向电流 If 平均值
正向电压 Vf 最大值
工作温度最小值
工作温度最高值
汽车质量标准
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY8.790 (CNY9.9327)10+ CNY5.580 (CNY6.3054)25+ CNY5.050 (CNY5.7065)50+ CNY3.620 (CNY4.0906)100+ CNY3.200 (CNY3.616)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 830nm | 10° | T-1 3/4 (5mm) | 180mW/Sr | 20ns | 13ns | 100mA | 1.5V | -40°C | 85°C | - | GaAlAs Double Hetero IR Diode | |||||
每个 | 1+ CNY6.700 (CNY7.571)10+ CNY4.660 (CNY5.2658)25+ CNY4.250 (CNY4.8025)50+ CNY3.840 (CNY4.3392)100+ CNY3.420 (CNY3.8646)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 940nm | 60° | 0805 | 6mW/Sr | 15ns | 15ns | 100mA | 1.35V | -40°C | 85°C | AEC-Q101 | GaAlAs Double Hetero IR Diode | |||||
每个 | 5+ CNY8.570 (CNY9.6841)10+ CNY6.030 (CNY6.8139)100+ CNY4.490 (CNY5.0737)500+ CNY3.810 (CNY4.3053)1000+ CNY3.580 (CNY4.0454) | 最少：5 / 多个：5 | 850nm | 10° | T-1 3/4 (5mm) | 230mW/Sr | 20ns | 13ns | 100mA | 1.8V | -40°C | 85°C | - | GaAlAs Double Hetero IR Diode | |||||
