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TSHG8200
红外发射器, 830 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 180 mW/Sr, 20 ns, 13 ns
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY5.130 (CNY5.7969) |
| 10+ | CNY3.620 (CNY4.0906) |
| 25+ | CNY3.320 (CNY3.7516) |
| 50+ | CNY3.020 (CNY3.4126) |
| 100+ | CNY2.720 (CNY3.0736) |
| 500+ | CNY2.320 (CNY2.6216) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品概述
The TSHG8200 is an infrared, 830nm emitting diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, moulded in a clear, untinted plastic package. It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras (illumination), high speed IR data transmission and smoke-automatic fire detectors.
- Package form: T-1¾
- Dimensions (in mm): DIA 5
- Peak wavelength: 830nm
- High radiant intensity
- Angle of half intensity ±10°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- High modulation bandwidth: fc = 18MHz
- Good spectral matching with CMOS cameras
技术规格
峰值波长
830nm
二极管封装类型
T-1 3/4 (5mm)
上升时间
20ns
正向电流 If 平均值
100mA
工作温度最小值
-40°C
汽车质量标准
-
湿气敏感性等级
-
半强角度
10°
辐射强度 (Ie)
180mW/Sr
衰减时间 tf
13ns
正向电压 Vf 最大值
1.5V
工作温度最高值
85°C
产品范围
GaAlAs Double Hetero IR Diode
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000322