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TSHG8200
红外发射器, 830 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 180 mW/Sr, 20 ns, 13 ns
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.790 (CNY9.9327) |
| 10+ | CNY5.580 (CNY6.3054) |
| 25+ | CNY5.050 (CNY5.7065) |
| 50+ | CNY3.620 (CNY4.0906) |
| 100+ | CNY3.200 (CNY3.616) |
| 500+ | CNY2.920 (CNY3.2996) |
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多件: 1
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号TSHG8200
库存编号1779682
技术数据表
波长峰值830nm
半强角度10°
二极管封装类型T-1 3/4 (5mm)
辐射强度 (Ie)180mW/Sr
上升时间20ns
衰减时间 tf13ns
正向电流 If 平均值100mA
正向电压 Vf 最大值1.5V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
汽车质量标准-
产品范围GaAlAs Double Hetero IR Diode
MSL-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
产品概述
The TSHG8200 is an infrared, 830nm emitting diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, moulded in a clear, untinted plastic package. It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras (illumination), high speed IR data transmission and smoke-automatic fire detectors.
- Package form: T-1¾
- Dimensions (in mm): DIA 5
- Peak wavelength: 830nm
- High radiant intensity
- Angle of half intensity ±10°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- High modulation bandwidth: fc = 18MHz
- Good spectral matching with CMOS cameras
技术规格
波长峰值
830nm
二极管封装类型
T-1 3/4 (5mm)
上升时间
20ns
正向电流 If 平均值
100mA
工作温度最小值
-40°C
汽车质量标准
-
MSL
-
半强角度
10°
辐射强度 (Ie)
180mW/Sr
衰减时间 tf
13ns
正向电压 Vf 最大值
1.5V
工作温度最高值
85°C
产品范围
GaAlAs Double Hetero IR Diode
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000322