GaAlAs Double Hetero IR Diode 红外线发射器:
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二极管封装类型
辐射强度 (Ie)
上升时间
衰减时间 tf
正向电流 If 平均值
正向电压 Vf 最大值
工作温度最小值
工作温度最高值
汽车质量标准
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY5.130 (CNY5.7969)10+ CNY3.620 (CNY4.0906)25+ CNY3.320 (CNY3.7516)50+ CNY3.020 (CNY3.4126)100+ CNY2.720 (CNY3.0736)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 830nm | 10° | T-1 3/4 (5mm) | 180mW/Sr | 20ns | 13ns | 100mA | 1.5V | -40°C | 85°C | - | GaAlAs Double Hetero IR Diode | |||||
每个 | 1+ CNY7.210 (CNY8.1473)10+ CNY4.520 (CNY5.1076)25+ CNY4.030 (CNY4.5539)50+ CNY3.540 (CNY4.0002)100+ CNY3.050 (CNY3.4465)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 940nm | 60° | 0805 | 6mW/Sr | 15ns | 15ns | 100mA | 1.35V | -40°C | 85°C | AEC-Q101 | GaAlAs Double Hetero IR Diode | |||||
每个 | 5+ CNY5.840 (CNY6.5992)10+ CNY3.700 (CNY4.181)100+ CNY2.980 (CNY3.3674)500+ CNY2.930 (CNY3.3109)1000+ CNY2.870 (CNY3.2431) | 最少：5 / 多个：5 | 850nm | 10° | T-1 3/4 (5mm) | 230mW/Sr | 20ns | 13ns | 100mA | 1.8V | -40°C | 85°C | - | GaAlAs Double Hetero IR Diode | |||||
