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双MOSFET:
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连续漏极电流 Id N沟道
连续漏极电流 Id P沟道
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晶体管封装类型
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功耗 Pd
耗散功率N沟道
耗散功率P沟道
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY5.440 (CNY6.1472)50+ CNY4.600 (CNY5.198)100+ CNY3.760 (CNY4.2488)500+ CNY2.920 (CNY3.2996)1000+ CNY2.660 (CNY3.0058) | 最少：5 / 多个：5 | - | P通道 | 30V | - | 30V | - | - | 18A | 18A | 0.016ohm | - | 0.016ohm | - | SOIC | - | 8引脚 | - | 1.2W | 1.2W | 150°C | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY3.760 (CNY4.2488)500+ CNY2.920 (CNY3.2996)1000+ CNY2.660 (CNY3.0058) | 最少：100 / 多个：1 | P沟道 | P通道 | 30V | 30V | 30V | 18A | 0.016ohm | 18A | 18A | 0.016ohm | 表面安装 | 0.016ohm | 10V | SOIC | 1.7V | 8引脚 | 1.2W | 1.2W | 1.2W | 150°C | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY13.220 (CNY14.9386)10+ CNY9.420 (CNY10.6446)100+ CNY7.470 (CNY8.4411)500+ CNY6.290 (CNY7.1077)1000+ CNY5.580 (CNY6.3054)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | - | 互补N与P沟道 | 30V | - | 30V | - | - | 18A | 18A | 0.0075ohm | - | 0.0075ohm | - | HSOP | - | 8引脚 | - | 7W | 7W | 150°C | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY10.240 (CNY11.5712)10+ CNY6.550 (CNY7.4015)100+ CNY6.060 (CNY6.8478)500+ CNY5.890 (CNY6.6557)1000+ CNY4.610 (CNY5.2093)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | - | N通道 | 100V | - | 100V | - | - | 18A | 18A | 0.024ohm | - | 0.024ohm | - | PowerDI3333 | - | 8引脚 | - | 1W | 1W | 150°C | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY7.470 (CNY8.4411)500+ CNY6.290 (CNY7.1077)1000+ CNY5.580 (CNY6.3054)5000+ CNY5.480 (CNY6.1924) | 最少：100 / 多个：1 | 互补N与P沟道 | 互补N与P沟道 | 30V | 30V | 30V | 18A | 0.0075ohm | 18A | 18A | 0.0075ohm | 表面安装 | 0.0075ohm | 10V | HSOP | 2.5V | 8引脚 | 7W | 7W | 7W | 150°C | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY6.060 (CNY6.8478)500+ CNY5.890 (CNY6.6557)1000+ CNY4.610 (CNY5.2093)5000+ CNY3.310 (CNY3.7403) | 最少：100 / 多个：1 | N沟道 | N通道 | 100V | 100V | 100V | 18A | 0.024ohm | 18A | 18A | 0.024ohm | 表面安装 | 0.024ohm | 10V | PowerDI3333 | 2.5V | 8引脚 | 1W | 1W | 1W | 150°C | |||||
