打印页面
DMT10H032LDV-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 18 A, 18 A, 0.024 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMT10H032LDV-7
库存编号3405246RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
漏源电压Vds N沟道100V
电流, Id 连续18A
漏源电压Vds P沟道100V
在电阻RDS（上）0.024ohm
连续漏极电流 Id N沟道18A
连续漏极电流 Id P沟道18A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.024ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.024ohm
阈值栅源电压最大值2.5V
晶体管封装类型PowerDI3333
功耗 Pd1W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1W
耗散功率P沟道1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
100V
电流, Id 连续
18A
在电阻RDS（上）
0.024ohm
连续漏极电流 Id P沟道
18A
漏源通态电阻N沟道
0.024ohm
漏源导通电阻P沟道
0.024ohm
晶体管封装类型
PowerDI3333
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
100V
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
18A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
功耗 Pd
1W
耗散功率N沟道
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002