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DMN10H220LDV-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.17 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN10H220LDV-7
库存编号3589314RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压, Vds100V
漏源电压Vds P沟道100V
电流, Id 连续10.5A
连续漏极电流 Id N沟道10.5A
在电阻RDS（上）0.17ohm
连续漏极电流 Id P沟道10.5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.17ohm
漏源导通电阻P沟道0.17ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型PowerDI3333
阈值栅源电压最大值2.5V
功耗 Pd40W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道40W
耗散功率P沟道40W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
100V
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
10.5A
连续漏极电流 Id P沟道
10.5A
漏源通态电阻N沟道
0.17ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
40W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
100V
电流, Id 连续
10.5A
在电阻RDS（上）
0.17ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.17ohm
晶体管封装类型
PowerDI3333
功耗 Pd
40W
耗散功率N沟道
40W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000121