11A 双MOSFET:

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晶体管极性
通道类型
漏源电压Vds N沟道
漏源电压, Vds
漏源电压Vds P沟道
电流, Id 连续
在电阻RDS(上)
连续漏极电流 Id N沟道
连续漏极电流 Id P沟道
漏源通态电阻N沟道
晶体管安装
漏源导通电阻P沟道
Rds(on)测试电压
晶体管封装类型
阈值栅源电压最大值
针脚数
功耗 Pd
耗散功率N沟道
耗散功率P沟道
工作温度最高值
产品范围
合规
汽车质量标准
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较包装规格数量
2774833RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY2.850
(CNY3.2205)
500+
CNY2.550
(CNY2.8815)
1000+
CNY2.420
(CNY2.7346)
5000+
CNY2.170
(CNY2.4521)
最少:100 / 多个:5
N沟道
N通道
24V
24V
24V
11A
0.007ohm
11A
11A
0.007ohm
表面安装
0.007ohm
4.5V
SOT-28FL
1.3V
8引脚
1.4W
1.4W
1.4W
150°C
-
-
-
2725920RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
50+
CNY4.570
(CNY5.1641)
250+
CNY3.590
(CNY4.0567)
1000+
CNY3.200
(CNY3.616)
2000+
CNY3.020
(CNY3.4126)
最少:100 / 多个:1
N沟道
N通道
30V
30V
30V
11A
0.0098ohm
11A
11A
0.0098ohm
表面安装
0.0098ohm
10V
SOIC
1.8V
8引脚
2W
2W
2W
150°C
HEXFET Series
-
-
2932990RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY4.070
(CNY4.5991)
500+
CNY3.560
(CNY4.0228)
1000+
CNY2.900
(CNY3.277)
5000+
CNY2.780
(CNY3.1414)
最少:100 / 多个:1
N沟道
N通道
100V
100V
100V
11A
0.0765ohm
11A
11A
0.0765ohm
表面安装
0.0765ohm
10V
PowerPAK SO
2V
8引脚
27W
27W
27W
175°C
TrenchFET Series
AEC-Q101
AEC-Q101
2725919RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
100+
CNY5.840
(CNY6.5992)
500+
CNY5.410
(CNY6.1133)
1000+
CNY3.470
(CNY3.9211)
5000+
CNY3.420
(CNY3.8646)
最少:100 / 多个:1
N沟道
N通道
30V
30V
30V
11A
0.0086ohm
11A
11A
0.0086ohm
表面安装
0.0086ohm
10V
SOIC
2.25V
8引脚
2W
2W
2W
150°C
HEXFET Series
-
-
1-4 项,共 4 项
,共 1 页

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