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IRF7907TRPBF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0098 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7907TRPBF
库存编号2725920RL
产品范围HEXFET Series
也称为SP001566462
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续11A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道11A
在电阻RDS（上）0.0098ohm
连续漏极电流 Id P沟道11A
漏源通态电阻N沟道0.0098ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.0098ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1.8V
功耗 Pd2W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
Dual N-channel HEXFET® power MOSFET for POL converters in notebook computers, servers, graphics cards, game consoles and set-top box.
- Very low RDS(on) at 4.5V VGS
- Low gate charge
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Improved body diode reverse recovery
- 100% tested for RG
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
11A
连续漏极电流 Id N沟道
11A
连续漏极电流 Id P沟道
11A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.8V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
HEXFET Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.0098ohm
漏源通态电阻N沟道
0.0098ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0098ohm
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
2W
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00019