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SQJB68EP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0765 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJB68EP-T1_GE3
库存编号2932990RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压, Vds100V
漏源电压Vds P沟道100V
电流, Id 连续11A
在电阻RDS（上）0.0765ohm
连续漏极电流 Id N沟道11A
连续漏极电流 Id P沟道11A
漏源通态电阻N沟道0.0765ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.0765ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
晶体管封装类型PowerPAK SO
功耗 Pd27W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道27W
耗散功率P沟道27W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
100V
漏源电压Vds P沟道
100V
在电阻RDS（上）
0.0765ohm
连续漏极电流 Id P沟道
11A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerPAK SO
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
27W
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
100V
电流, Id 连续
11A
连续漏极电流 Id N沟道
11A
漏源通态电阻N沟道
0.0765ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0765ohm
阈值栅源电压最大值
2V
功耗 Pd
27W
耗散功率N沟道
27W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003