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16A N通道 双MOSFET:
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工程师
制造商
晶体管极性
1
通道类型
漏源电压Vds N沟道
漏源电压, Vds
漏源电压Vds P沟道
电流, Id 连续
1
在电阻RDS（上）
连续漏极电流 Id N沟道
连续漏极电流 Id P沟道
漏源通态电阻N沟道
晶体管安装
漏源导通电阻P沟道
Rds(on)测试电压
晶体管封装类型
阈值栅源电压最大值
针脚数
功耗 Pd
耗散功率N沟道
耗散功率P沟道
工作温度最高值
产品范围
合规
汽车质量标准
包装
筛选条件已应用
2 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY4.280 (CNY4.8364)500+ CNY3.990 (CNY4.5087)1000+ CNY3.790 (CNY4.2827) | 最少：100 / 多个：1 | N沟道 | N通道 | 60V | 60V | 60V | 16A | 0.0414ohm | 16A | 16A | 0.0414ohm | 表面安装 | 0.0414ohm | 10V | LFPAK56D | 1.7V | 8引脚 | 32W | 32W | 32W | 175°C | - | AEC-Q101 | AEC-Q101 | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY3.270 (CNY3.6951)500+ CNY3.250 (CNY3.6725)1000+ CNY3.230 (CNY3.6499)5000+ CNY3.210 (CNY3.6273) | 最少：100 / 多个：1 | N沟道 | N通道 | 60V | 60V | 60V | 16A | 0.0414ohm | 16A | 16A | 0.0414ohm | 表面安装 | 0.0414ohm | 10V | LFPAK56D | 1.7V | 8引脚 | 32W | 32W | 32W | 175°C | TrenchMOS Series | AEC-Q101 | AEC-Q101 | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY2.400 (CNY2.712)500+ CNY2.290 (CNY2.5877)1000+ CNY2.180 (CNY2.4634)5000+ CNY2.070 (CNY2.3391) | 最少：100 / 多个：1 | N沟道 | N通道 | 30V | 30V | 30V | 16A | 0.014ohm | 16A | 16A | 0.014ohm | 表面安装 | 0.014ohm | 10V | SOIC | 2.5V | 8引脚 | 1W | 1W | 1W | 150°C | - | - | - | |||||
