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DMT3020LSDQ-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 16 A, 16 A, 0.014 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMT3020LSDQ-13
库存编号3405247RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续16A
在电阻RDS（上）0.014ohm
连续漏极电流 Id N沟道16A
连续漏极电流 Id P沟道16A
漏源通态电阻N沟道0.014ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.014ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值2.5V
功耗 Pd1W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1W
耗散功率P沟道1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.014ohm
连续漏极电流 Id P沟道
16A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.014ohm
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
16A
连续漏极电流 Id N沟道
16A
漏源通态电阻N沟道
0.014ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
1W
耗散功率N沟道
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002