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SIZ342ADT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 7800 µohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY3.390 (CNY3.8307) |
| 500+ | CNY2.650 (CNY2.9945) |
| 1000+ | CNY2.450 (CNY2.7685) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ342ADT-T1-GE3
库存编号3365523RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续33.4A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.0078ohm
连续漏极电流 Id N沟道33.4A
连续漏极电流 Id P沟道33.4A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道7800µohm
漏源导通电阻P沟道7800µohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型PowerPAIR
阈值栅源电压最大值2.4V
针脚数8引脚
功耗 Pd16.7W
耗散功率N沟道16.7W
耗散功率P沟道16.7W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET GEN IV Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
33.4A
在电阻RDS（上）
0.0078ohm
连续漏极电流 Id P沟道
33.4A
漏源通态电阻N沟道
7800µohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.4V
功耗 Pd
16.7W
耗散功率P沟道
16.7W
产品范围
TrenchFET GEN IV Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
33.4A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
7800µohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
16.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001