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NVMFD6H840NLT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 80 V, 74 A, 74 A, 5700 µohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVMFD6H840NLT1G
库存编号3265485RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
漏源电压Vds N沟道80V
电流, Id 连续74A
漏源电压Vds P沟道80V
在电阻RDS（上）0.0057ohm
连续漏极电流 Id N沟道74A
连续漏极电流 Id P沟道74A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道5700µohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道5700µohm
晶体管封装类型DFN
阈值栅源电压最大值2V
功耗 Pd90W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道90W
耗散功率P沟道90W
工作温度最高值175°C
产品范围NVMFD6H840NL Series
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
80V
电流, Id 连续
74A
在电阻RDS（上）
0.0057ohm
连续漏极电流 Id P沟道
74A
漏源通态电阻N沟道
5700µohm
漏源导通电阻P沟道
5700µohm
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
90W
产品范围
NVMFD6H840NL Series
汽车质量标准
AEC-Q101
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
80V
漏源电压Vds P沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
74A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
DFN
功耗 Pd
90W
耗散功率N沟道
90W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000024