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双MOSFET:
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漏源电压Vds N沟道
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连续漏极电流 Id N沟道
连续漏极电流 Id P沟道
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漏源导通电阻P沟道
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晶体管封装类型
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功耗 Pd
耗散功率N沟道
耗散功率P沟道
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY4.650 (CNY5.2545)50+ CNY3.380 (CNY3.8194)250+ CNY2.620 (CNY2.9606)1000+ CNY1.910 (CNY2.1583)2000+ CNY1.720 (CNY1.9436)更多价格信息... | 最少：5 / 多个：5 | - | N通道 | 50V | - | 50V | - | - | 3A | 3A | 0.11ohm | - | 0.11ohm | - | SOIC | - | 8引脚 | - | 2W | 2W | 150°C | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 50+ CNY3.380 (CNY3.8194)250+ CNY2.620 (CNY2.9606)1000+ CNY1.910 (CNY2.1583)2000+ CNY1.720 (CNY1.9436)4000+ CNY1.640 (CNY1.8532)更多价格信息... | 最少：100 / 多个：1 | N沟道 | N通道 | 50V | 50V | 50V | 3A | 0.11ohm | 3A | 3A | 0.11ohm | 表面安装 | 0.11ohm | 10V | SOIC | 3V | 8引脚 | 2W | 2W | 2W | 150°C | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY6.550 (CNY7.4015)10+ CNY5.140 (CNY5.8082)100+ CNY3.700 (CNY4.181)500+ CNY2.890 (CNY3.2657)1000+ CNY2.210 (CNY2.4973)更多价格信息... | 最少：5 / 多个：5 | - | 互补N与P沟道 | 30V | - | 30V | - | - | 2.7A | 2.7A | 0.11ohm | - | 0.11ohm | - | µSOIC | - | 8引脚 | - | 1.25W | 1.25W | 150°C | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY3.700 (CNY4.181)500+ CNY2.890 (CNY3.2657)1000+ CNY2.210 (CNY2.4973)5000+ CNY1.940 (CNY2.1922) | 最少：100 / 多个：1 | 互补N与P沟道 | 互补N与P沟道 | 30V | 30V | 30V | 2.7A | 0.11ohm | 2.7A | 2.7A | 0.11ohm | 表面安装 | 0.11ohm | 10V | µSOIC | 1V | 8引脚 | 1.25W | 1.25W | 1.25W | 150°C | |||||
