双MOSFET:

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晶体管极性
通道类型
漏源电压Vds N沟道
漏源电压, Vds
漏源电压Vds P沟道
电流, Id 连续
在电阻RDS(上)
连续漏极电流 Id N沟道
连续漏极电流 Id P沟道
漏源通态电阻N沟道
晶体管安装
漏源导通电阻P沟道
Rds(on)测试电压
晶体管封装类型
阈值栅源电压最大值
针脚数
功耗 Pd
耗散功率N沟道
耗散功率P沟道
工作温度最高值
产品范围
合规
汽车质量标准
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较包装规格数量
3470705RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY2.130
(CNY2.4069)
500+
CNY2.100
(CNY2.373)
1000+
CNY2.070
(CNY2.3391)
5000+
CNY2.070
(CNY2.3391)
最少:100 / 多个:1
N沟道
N通道
20V
20V
20V
800mA
0.2ohm
800mA
800mA
0.2ohm
表面安装
0.2ohm
4.5V
SC-70
600mV
6引脚
1.5W
1.5W
1.5W
175°C
TrenchFET Series
AEC-Q101
AEC-Q101
3772770RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY4.090
(CNY4.6217)
500+
CNY3.520
(CNY3.9776)
1000+
CNY3.490
(CNY3.9437)
5000+
CNY3.460
(CNY3.9098)
最少:100 / 多个:1
N沟道
N通道
20V
20V
20V
5.2A
0.165ohm
5.2A
5.2A
0.165ohm
表面安装
0.165ohm
4.5V
TSSOP
600mV
8引脚
1W
1W
1W
150°C
Trench Series
-
-
3772765RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY2.620
(CNY2.9606)
500+
CNY2.010
(CNY2.2713)
1000+
CNY1.800
(CNY2.034)
5000+
CNY1.630
(CNY1.8419)
最少:100 / 多个:1
互补N与P沟道
互补N与P沟道
20V
20V
20V
4A
0.045ohm
4A
4A
0.045ohm
表面安装
0.045ohm
4.5V
ChipFET
600mV
8引脚
3.1W
3.1W
3.1W
150°C
Trench Series
-
-
3772774RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY9.020
(CNY10.1926)
500+
CNY9.010
(CNY10.1813)
1000+
CNY9.000
(CNY10.170)
最少:100 / 多个:1
N沟道
N通道
30V
30V
30V
4.9A
0.03ohm
4.9A
4.9A
0.03ohm
表面安装
0.03ohm
10V
PowerPAK 1212
600mV
8引脚
1.3W
1.3W
1.3W
150°C
-
-
-
1611649RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY1.960
(CNY2.2148)
最少:100 / 多个:1
P沟道
P通道
-
12V
12V
700mA
0.221ohm
-
700mA
-
表面安装
0.221ohm
4.5V
SC-70
600mV
6引脚
300mW
-
300mW
150°C
-
-
-
1324817RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
1+
CNY4.280
(CNY4.8364)
最少:500 / 多个:5
互补N与P沟道
互补N与P沟道
20V
20V
20V
600mA
0.7ohm
600mA
600mA
0.7ohm
表面安装
0.7ohm
4.5V
SC-89
600mV
6引脚
625mW
625mW
625mW
150°C
-
-
-
1-6 项,共 6 项
,共 1 页

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