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FDY4000CZ
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.7 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDY4000CZ
库存编号1324817RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续600mA
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.7ohm
连续漏极电流 Id N沟道600mA
连续漏极电流 Id P沟道600mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.7ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.7ohm
晶体管封装类型SC-89
阈值栅源电压最大值600mV
针脚数6引脚
功耗 Pd625mW
耗散功率N沟道625mW
耗散功率P沟道625mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
The FDY4000CZ is a N/P-channel complementary MOSFET designed using advanced PowerTrench® process. The device is suitable for use with level shifting, power supply converter circuits, load/power switching cell phones and pagers applications.
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
600mA
在电阻RDS（上）
0.7ohm
连续漏极电流 Id P沟道
600mA
漏源通态电阻N沟道
0.7ohm
漏源导通电阻P沟道
0.7ohm
阈值栅源电压最大值
600mV
功耗 Pd
625mW
耗散功率P沟道
625mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
600mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SC-89
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
625mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000227