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MOSFET模块:
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通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
晶体管安装
功率耗散
工作温度最高值
针脚数
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY260.980 (CNY294.9074)5+ CNY252.440 (CNY285.2572)10+ CNY243.890 (CNY275.5957)50+ CNY235.340 (CNY265.9342)100+ CNY226.790 (CNY256.2727) | 最少：1 / 多个：1 | N通道 | 220A | 200V | 0.0075ohm | - | 10V | 5V | - | 1.09kW | 175°C | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY351.080 (CNY396.7204)5+ CNY337.960 (CNY381.8948)10+ CNY324.830 (CNY367.0579)50+ CNY311.700 (CNY352.221) | 最少：1 / 多个：1 | P通道 | 210A | 100V | 0.0075ohm | - | 10V | 4.5V | - | 830W | 150°C | - | TrenchP | |||||
每个 | 1+ CNY214.570 (CNY242.4641)5+ CNY196.890 (CNY222.4857)10+ CNY179.200 (CNY202.496)50+ CNY170.490 (CNY192.6537)100+ CNY161.780 (CNY182.8114) | 最少：1 / 多个：1 | N通道 | 200A | 100V | 0.0075ohm | ISOTOP | 15V | 5V | 模块 | 680W | 175°C | 4引脚 | Polar(TM) HiPerFET | |||||
