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IXFN230N20T
晶体管, MOSFET, N通道, 220 A, 200 V, 7500 µohm, 10 V, 5 V
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| 5+ | CNY255.120 (CNY288.2856) |
| 10+ | CNY245.080 (CNY276.9404) |
| 50+ | CNY235.040 (CNY265.5952) |
| 100+ | CNY224.990 (CNY254.2387) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXFN230N20T
库存编号3930243
技术数据表
通道类型N通道
电流, Id 连续220A
漏源电压, Vds200V
漏源接通状态电阻7500µohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散1.09kW
工作温度最高值175°C
产品范围-
产品概述
N沟道增强型雪崩额定快速内置二极管。适用于同步整流、DC-DC转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、交流电机驱动器、不间断电源以及高速功率开关应用。
- GigaMOS™功率MOSFET
- miniBLOC 氮化铝隔离技术
- 隔离电压2500V
- 高电流处理能力
- 低RDS（导通）
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
200V
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.09kW
产品范围
-
电流, Id 连续
220A
漏源接通状态电阻
7500µohm
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
175°C
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001