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IXFN230N20T
晶体管, MOSFET, N通道, 220 A, 200 V, 0.0075 ohm, 10 V, 5 V
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY260.980 (CNY294.9074) |
| 5+ | CNY252.440 (CNY285.2572) |
| 10+ | CNY243.890 (CNY275.5957) |
| 50+ | CNY235.340 (CNY265.9342) |
| 100+ | CNY226.790 (CNY256.2727) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品概述
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in synchronous rectification, DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- GigaMOS™ power MOSFET
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
200V
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.09kW
产品范围
-
电流, Id 连续
220A
漏源接通状态电阻
0.0075ohm
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
175°C
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001