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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXFN230N20T
库存编号3930243
技术数据表
通道类型N通道
电流, Id 连续220A
漏源电压, Vds200V
漏源接通状态电阻0.0075ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散1.09kW
工作温度最高值175°C
产品范围-
产品概述
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in synchronous rectification, DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- GigaMOS™ power MOSFET
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
200V
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.09kW
产品范围
-
电流, Id 连续
220A
漏源接通状态电阻
0.0075ohm
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
175°C
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001