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IXFN38N100P
晶体管, MOSFET, N通道, 38 A, 1 kV, 0.21 ohm, 10 V, 6.5 V
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| 1+ | CNY351.650 (CNY397.3645) |
| 5+ | CNY334.840 (CNY378.3692) |
| 10+ | CNY318.020 (CNY359.3626) |
| 50+ | CNY301.210 (CNY340.3673) |
| 100+ | CNY284.390 (CNY321.3607) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXFN38N100P
库存编号3930411
技术数据表
通道类型N通道
电流, Id 连续38A
漏源电压, Vds1kV
漏源接通状态电阻0.21ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值6.5V
功率耗散1kW
工作温度最高值150°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
产品概述
N-channel enhancement mode fast intrinsic rectifier suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC motor control, high speed power switching application.
- Polar™ HiperFET™ power MOSFET
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Low package inductance
- Low RDS(on) and QG
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1kV
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1kW
产品范围
-
电流, Id 连续
38A
漏源接通状态电阻
0.21ohm
阈值栅源电压最大值
6.5V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001