四N沟道 碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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工程师
制造商
MOSFET模块配置
通道类型
1
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||
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每个 | 1+ CNY1,613.800 (CNY1,823.594)5+ CNY1,412.070 (CNY1,595.6391)10+ CNY1,379.580 (CNY1,558.9254) | 最少:1 / 多个:1 | FourPack | 四N沟道 | 50A | 1.2kV | 0.025ohm | ACEPACK 1 | 22引脚 | 18V | 4.9V | - | 150°C | |||||
每个 | 1+ CNY756.700 (CNY855.071)5+ CNY713.360 (CNY806.0968)10+ CNY670.020 (CNY757.1226)50+ CNY656.630 (CNY741.9919) | 最少:1 / 多个:1 | FourPack | 四N沟道 | 30A | 1.2kV | 0.042ohm | - | 22引脚 | 20V | 2.81V | 74W | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY1,624.510 (CNY1,835.6963)5+ CNY1,421.450 (CNY1,606.2385)10+ CNY1,177.770 (CNY1,330.8801) | 最少:1 / 多个:1 | FourPack | 四N沟道 | 51A | 1.2kV | 0.02ohm | - | 22引脚 | 20V | 2.81V | 119W | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY1,896.950 (CNY2,143.5535)5+ CNY1,659.830 (CNY1,875.6079) | 最少:1 / 多个:1 | 3级逆变器 | 四N沟道 | 75A | 1.2kV | 0.013ohm | ACEPACK 2 | 29引脚 | 18V | 3V | - | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY2,014.020 (CNY2,275.8426)5+ CNY1,762.270 (CNY1,991.3651)10+ CNY1,460.160 (CNY1,649.9808) | 最少:1 / 多个:1 | FourPack | 四N沟道 | 75A | 1.2kV | 0.013ohm | ACEPACK 2 | 34引脚 | 18V | 3V | - | 150°C |