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碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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工程师
制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY676.690 (CNY764.6597)5+ CNY645.960 (CNY729.9348)10+ CNY615.230 (CNY695.2099)50+ CNY584.500 (CNY660.485) | 最少：1 / 多个：1 | 半桥 | 双N通道 | 50A | 1.2kV | 0.0162ohm | Module | 18引脚 | 18V | 5.15V | 20mW | 150°C | CoolSiC Trench Series | |||||
每个 | 1+ CNY545.130 (CNY615.9969)5+ CNY515.250 (CNY582.2325)10+ CNY485.360 (CNY548.4568)50+ CNY455.480 (CNY514.6924) | 最少：1 / 多个：1 | 半桥 | 双N通道 | 50A | 1.2kV | 0.0162ohm | Module | 18引脚 | 18V | 5.15V | 20mW | 175°C | CoolSiC Trench Series | |||||
每个 | 1+ CNY500.180 (CNY565.2034)5+ CNY470.170 (CNY531.2921)10+ CNY440.170 (CNY497.3921)50+ CNY410.150 (CNY463.4695) | 最少：1 / 多个：1 | 半桥 | 双N通道 | 50A | 1.2kV | 0.0162ohm | Module | 18引脚 | 18V | 5.15V | 20mW | 175°C | CoolSiC Trench Series | |||||
