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碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY1,624.510 (CNY1,835.6963)5+ CNY1,421.450 (CNY1,606.2385)10+ CNY1,177.770 (CNY1,330.8801) | 最少：1 / 多个：1 | FourPack | 四N沟道 | 51A | 1.2kV | 0.02ohm | - | 22引脚 | 20V | 2.81V | 119W | 175°C | - | |||||
每个 | 1+ CNY51.540 (CNY58.2402) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 17A | 1.2kV | 0.162ohm | TO-247 | 3引脚 | 20V | 3.1V | 119W | 175°C | EliteSiC Series | |||||
每个 | 1+ CNY93.980 (CNY106.1974)5+ CNY92.430 (CNY104.4459) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 30.8A | 1.2kV | 0.075ohm | TO-247 | 4引脚 | 15V | 2.5V | 119W | 150°C | C3M | |||||
每个 | 1+ CNY1,213.750 (CNY1,371.5375)5+ CNY1,062.040 (CNY1,200.1052)10+ CNY879.970 (CNY994.3661) | 最少：1 / 多个：1 | 半桥 | 双N通道 | 51A | 1.2kV | 0.02ohm | - | 18引脚 | 20V | 2.81V | 119W | 175°C | - | |||||
每个 | 1+ CNY42.190 (CNY47.6747)5+ CNY38.540 (CNY43.5502)10+ CNY34.880 (CNY39.4144)50+ CNY34.560 (CNY39.0528)100+ CNY34.250 (CNY38.7025)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 17A | 1.2kV | 0.162ohm | TO-247 | 3引脚 | 20V | 3.1V | 119W | 175°C | EliteSiC Series | |||||
