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碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY68.650 (CNY77.5745)5+ CNY68.150 (CNY77.0095)10+ CNY67.640 (CNY76.4332)50+ CNY67.130 (CNY75.8569)100+ CNY66.620 (CNY75.2806)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 55A | 650V | 0.033ohm | TO-247 | 4引脚 | 18V | 2.8V | 187W | 175°C | EliteSiC Series | |||||
ONSEMI | 单件（整卷供应） 整卷 包装选项 | 3000+ CNY85.790 (CNY96.9427)9000+ CNY75.060 (CNY84.8178) | 最少：3000 / 多个：3000 | - | N Channel | 55A | - | - | TDFN | - | 18V | 4.3V | 187W | - | - | ||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY137.220 (CNY155.0586)10+ CNY102.680 (CNY116.0284)100+ CNY88.950 (CNY100.5135)500+ CNY87.170 (CNY98.5021) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 39A | 650V | 0.033ohm | TDFN | 4引脚 | 18V | 4.3V | 187W | 175°C | EliteSiC Series | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 10+ CNY102.680 (CNY116.0284)100+ CNY88.950 (CNY100.5135)500+ CNY87.170 (CNY98.5021) | 最少：10 / 多个：1 | 单 | N通道 | 39A | 650V | 0.033ohm | TDFN | 4引脚 | 18V | 4.3V | 187W | 175°C | EliteSiC Series | |||||
每个 | 1+ CNY60.730 (CNY68.6249)5+ CNY56.370 (CNY63.6981)10+ CNY52.000 (CNY58.760)50+ CNY47.650 (CNY53.8445)100+ CNY43.280 (CNY48.9064)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 50A | 650V | 0.044ohm | TO-247 | 4引脚 | 18V | 4V | 187W | 175°C | EliteSiC Series | |||||
4354955 RoHS | GENESIC | 每个 | 1+ CNY95.260 (CNY107.6438)5+ CNY89.130 (CNY100.7169)10+ CNY83.000 (CNY93.790)50+ CNY80.580 (CNY91.0554)100+ CNY78.160 (CNY88.3208)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | Single | N Channel | 22A | 1.7kV | 0.16ohm | TO-263 (D2PAK) | 7引脚 | 15V | 2.7V | 187W | 175°C | G3R Series | |||
每个 | 1+ CNY88.670 (CNY100.1971)5+ CNY83.260 (CNY94.0838)10+ CNY77.830 (CNY87.9479)50+ CNY72.550 (CNY81.9815)100+ CNY67.250 (CNY75.9925)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 50A | 650V | 0.044ohm | TO-247 | 4引脚 | 18V | 4V | 187W | 175°C | EliteSiC Series | |||||
