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GD75HHU120C5SD
IGBT模块, 半桥, 111 A, 2.8 V, 565 W, 125 °C, Module
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY573.910 (CNY648.5183) |
| 5+ | CNY529.560 (CNY598.4028) |
| 10+ | CNY483.930 (CNY546.8409) |
| 50+ | CNY457.420 (CNY516.8846) |
包装规格：每个
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CNY573.91 (CNY648.52 含税)
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技术规格
IGBT配置
半桥
集电极-发射极饱和电压
2.8V
工作温度最高值
125°C
IGBT端接
螺丝
IGBT技术
NPT 超快 IGBT
产品范围
-
连续集电极电流
111A
功率耗散
565W
晶体管封装类型
Module
最大集电极发射电压
1.2kV
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
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产品合规证书
重量（千克）：.3