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GD75HHU120C5SD
IGBT模块, 半桥, 111 A, 2.8 V, 565 W, 125 °C, Module
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产品信息
制造商STARPOWER
制造商产品编号GD75HHU120C5SD
库存编号4312701
技术数据表
IGBT配置半桥
连续集电极电流111A
集电极-发射极饱和电压2.8V
功率耗散565W
工作温度最高值125°C
晶体管封装类型Module
IGBT端接螺丝
最大集电极发射电压1.2kV
IGBT技术NPT 超快 IGBT
晶体管安装面板
产品范围-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
IGBT配置
半桥
集电极-发射极饱和电压
2.8V
工作温度最高值
125°C
IGBT端接
螺丝
IGBT技术
NPT 超快 IGBT
产品范围
-
连续集电极电流
111A
功率耗散
565W
晶体管封装类型
Module
最大集电极发射电压
1.2kV
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.3