IGBT单晶体管:
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连续集电极电流
集电极-发射极饱和电压
功率耗散
最大集电极发射电压
晶体管封装类型
针脚数
工作温度最高值
晶体管安装
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||
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每个 | 1+ CNY485.850 (CNY549.0105) | 最少:1 / 多个:1 | 50A | 2.7V | 250W | 3kV | TO-247 | 3引脚 | 150°C | 通孔 | BiMOSFET系列 | |||||
每个 | 1+ CNY384.800 (CNY434.824)5+ CNY370.130 (CNY418.2469)10+ CNY355.460 (CNY401.6698)50+ CNY340.780 (CNY385.0814) | 最少:1 / 多个:1 | 104A | 2.5V | 500W | 3kV | TO-268HV | 3引脚 | 150°C | 表面安装 | BiMOSFET系列 | |||||
每个 | 1+ CNY1,090.310 (CNY1,232.0503)5+ CNY954.020 (CNY1,078.0426)10+ CNY790.480 (CNY893.2424)50+ CNY708.700 (CNY800.831) | 最少:1 / 多个:1 | 130A | 2.7V | 625W | 3kV | TO-264 | 3引脚 | 150°C | 通孔 | BiMOSFET系列 |