栅极驱动器:
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输入延迟
输出延迟
包装
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1 筛选条件已选择
比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||||||
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单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY8.800 (CNY9.944) | 最少:1 / 多个:1 | 2放大器 | 高压侧和低压侧 | MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 反相 | 400mA | 650mA | - | 17V | -40°C | 125°C | 110ns | 105ns | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 1+ CNY8.800 (CNY9.944) | 最少:100 / 多个:1 | 2放大器 | 高压侧和低压侧 | MOSFET | 8引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | 反相 | 400mA | 650mA | - | 17V | -40°C | 125°C | 110ns | 105ns | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY9.210 (CNY10.4073)10+ CNY7.880 (CNY8.9044)50+ CNY6.960 (CNY7.8648)100+ CNY6.020 (CNY6.8026)250+ CNY5.670 (CNY6.4071)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 高压侧或低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 10引脚 | - | VSON | 表面安装 | 反相, 非反相 | 1A | 1A | 4.2V | 11V | -40°C | 125°C | 105ns | 105ns | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY6.020 (CNY6.8026)250+ CNY5.670 (CNY6.4071)500+ CNY5.320 (CNY6.0116)1000+ CNY4.050 (CNY4.5765)2500+ CNY3.730 (CNY4.2149) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 高压侧或低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 10引脚 | VSON | VSON | 表面安装 | 反相, 非反相 | 1A | 1A | 4.2V | 11V | -40°C | 125°C | 105ns | 105ns | |||||
每个 | 1+ CNY14.790 (CNY16.7127)10+ CNY8.970 (CNY10.1361)50+ CNY8.750 (CNY9.8875)100+ CNY8.520 (CNY9.6276)250+ CNY8.370 (CNY9.4581)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 高压侧 | MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 250mA | 500mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 125ns | 105ns | |||||
每个 | 1+ CNY9.440 (CNY10.6672)10+ CNY9.400 (CNY10.622)50+ CNY9.360 (CNY10.5768)100+ CNY9.330 (CNY10.5429) | 最少:1 / 多个:1 | 2放大器 | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 反相 | 400mA | 650mA | 5.5V | 17V | -45°C | 125°C | 110ns | 105ns | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY13.150 (CNY14.8595)10+ CNY9.490 (CNY10.7237)50+ CNY9.120 (CNY10.3056)100+ CNY8.750 (CNY9.8875)250+ CNY8.450 (CNY9.5485)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 高压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 250mA | 500mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 125ns | 105ns | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 5+ CNY8.520 (CNY9.6276)50+ CNY8.300 (CNY9.379)100+ CNY8.060 (CNY9.1078)500+ CNY7.830 (CNY8.8479)1000+ CNY7.590 (CNY8.5767) | 最少:5 / 多个:5 | 1放大器 | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 反相 | 250mA | 500mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 125ns | 105ns | |||||
每个 | 1+ CNY13.660 (CNY15.4358) | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | DIP | 通孔安装 | 反相 | 250mA | 500mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 125ns | 105ns | |||||
每个 | 1+ CNY22.710 (CNY25.6623)10+ CNY13.600 (CNY15.368)50+ CNY12.630 (CNY14.2719)100+ CNY11.650 (CNY13.1645)250+ CNY10.990 (CNY12.4187)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 高压侧 | MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 反相 | 250mA | 500mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 125ns | 105ns | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY20.690 (CNY23.3797)10+ CNY14.120 (CNY15.9556)50+ CNY13.420 (CNY15.1646)100+ CNY12.700 (CNY14.351)250+ CNY12.030 (CNY13.5939)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 2放大器 | 高压侧和低压侧 | MOSFET | 16引脚 | - | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 250mA | 500mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 125ns | 105ns | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY11.650 (CNY13.1645)10+ CNY11.470 (CNY12.9611) | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 高压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | DIP | 通孔安装 | 非反向 | 290mA | 600mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 125ns | 105ns | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY8.060 (CNY9.1078)500+ CNY7.830 (CNY8.8479)1000+ CNY7.590 (CNY8.5767) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | 反相 | 250mA | 500mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 125ns | 105ns | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY8.750 (CNY9.8875)250+ CNY8.450 (CNY9.5485)500+ CNY8.000 (CNY9.040)1000+ CNY7.850 (CNY8.8705)2500+ CNY7.590 (CNY8.5767) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 高压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 250mA | 500mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 125ns | 105ns | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY12.700 (CNY14.351)250+ CNY12.030 (CNY13.5939)500+ CNY11.580 (CNY13.0854)1000+ CNY11.310 (CNY12.7803)2500+ CNY11.020 (CNY12.4526) | 最少:100 / 多个:1 | 2放大器 | 高压侧和低压侧 | MOSFET | 16引脚 | WSOIC | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 250mA | 500mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 125ns | 105ns | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY11.010 (CNY12.4413)10+ CNY6.750 (CNY7.6275)100+ CNY4.310 (CNY4.8703)500+ CNY3.280 (CNY3.7064)1000+ CNY2.940 (CNY3.3222)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 7引脚 | - | TSNP | 表面安装 | 逻辑器件 | 1A | 1A | 4.2V | 11V | -40°C | 150°C | 105ns | 105ns | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY4.310 (CNY4.8703)500+ CNY3.770 (CNY4.2601)1000+ CNY2.940 (CNY3.3222)2500+ CNY2.710 (CNY3.0623) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 7引脚 | - | TSNP | 表面安装 | 逻辑器件 | 1A | 1A | 4.2V | 11V | -40°C | 150°C | 105ns | 105ns | |||||
每个 | 1+ CNY16.800 (CNY18.984)10+ CNY16.710 (CNY18.8823)25+ CNY16.620 (CNY18.7806)50+ CNY16.530 (CNY18.6789)100+ CNY16.430 (CNY18.5659)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 2放大器 | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 16引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 250mA | 500mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 125ns | 105ns | |||||
每个 | 1+ CNY22.110 (CNY24.9843)10+ CNY21.160 (CNY23.9108)25+ CNY20.200 (CNY22.826)50+ CNY19.240 (CNY21.7412)100+ CNY18.290 (CNY20.6677)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 2放大器 | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 14引脚 | - | DIP | 通孔安装 | 非反向 | 290mA | 600mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 135ns | 105ns |