栅极驱动器:
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比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||||||||||
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单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY4.410 (CNY4.9833)10+ CNY2.800 (CNY3.164)100+ CNY2.170 (CNY2.4521)500+ CNY2.130 (CNY2.4069)1000+ CNY2.090 (CNY2.3617)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 非隔离 | 低压侧 | GaN、IGBT、MOSFET | 5引脚 | - | SOT-23 | 表面安装 | 反相, 非反相 | 4A | 8A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 19ns | 19ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 5+ CNY10.390 (CNY11.7407)50+ CNY10.320 (CNY11.6616)100+ CNY10.240 (CNY11.5712)500+ CNY10.160 (CNY11.4808)1000+ CNY10.080 (CNY11.3904) | 最少:5 / 多个:5 | 2放大器 | - | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 14引脚 | - | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 4A | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 170ns | 170ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY2.170 (CNY2.4521)500+ CNY2.130 (CNY2.4069)1000+ CNY2.090 (CNY2.3617)2500+ CNY2.050 (CNY2.3165)5000+ CNY2.000 (CNY2.260) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 非隔离 | 低压侧 | GaN、IGBT、MOSFET | 5引脚 | SOT-23 | SOT-23 | 表面安装 | 反相, 非反相 | 4A | 8A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 19ns | 19ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY10.240 (CNY11.5712)500+ CNY10.160 (CNY11.4808)1000+ CNY10.080 (CNY11.3904) | 最少:100 / 多个:5 | 2放大器 | - | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 14引脚 | NSOIC | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 4A | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 170ns | 170ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY13.020 (CNY14.7126)10+ CNY9.030 (CNY10.2039)50+ CNY8.590 (CNY9.7067)100+ CNY8.160 (CNY9.2208)250+ CNY7.930 (CNY8.9609) | 最少:1 / 多个:1 | 2放大器 | - | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | - | 4A | 4A | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 170ns | 170ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY23.090 (CNY26.0917)10+ CNY15.810 (CNY17.8653)25+ CNY15.220 (CNY17.1986)50+ CNY14.620 (CNY16.5206)100+ CNY14.020 (CNY15.8426)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | MOSFET | 16引脚 | - | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 3.5V | -40°C | 85°C | 37ns | 37ns | EiceDRIVER 2EDi | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY7.550 (CNY8.5315)10+ CNY6.620 (CNY7.4806)100+ CNY5.210 (CNY5.8873)500+ CNY4.520 (CNY5.1076)1000+ CNY3.560 (CNY4.0228)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 非隔离 | 低压侧 | GaN HEMT, IGBT, MOSFET | 6引脚 | - | WSON | 表面安装 | 反相, 非反相 | 4A | 8A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 19ns | 19ns | EiceDRIVER 1EDN | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY21.830 (CNY24.6679)10+ CNY18.520 (CNY20.9276)25+ CNY17.710 (CNY20.0123)50+ CNY16.890 (CNY19.0857)100+ CNY16.080 (CNY18.1704)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT | 16引脚 | - | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 20V | -40°C | 125°C | 37ns | 35ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY14.020 (CNY15.8426)250+ CNY13.170 (CNY14.8821)500+ CNY12.640 (CNY14.2832)1000+ CNY12.040 (CNY13.6052) | 最少:100 / 多个:1 | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | MOSFET | 16引脚 | NSOIC | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 3.5V | -40°C | 85°C | 37ns | 37ns | EiceDRIVER 2EDi | - | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY8.160 (CNY9.2208)250+ CNY7.930 (CNY8.9609) | 最少:100 / 多个:1 | 2放大器 | - | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | - | 4A | 4A | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 170ns | 170ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY5.210 (CNY5.8873)500+ CNY4.520 (CNY5.1076)1000+ CNY3.560 (CNY4.0228)2500+ CNY3.560 (CNY4.0228) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 非隔离 | 低压侧 | GaN HEMT, IGBT, MOSFET | 6引脚 | WSON | WSON | 表面安装 | 反相, 非反相 | 4A | 8A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 19ns | 19ns | EiceDRIVER 1EDN | - | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY3.510 (CNY3.9663)500+ CNY3.390 (CNY3.8307)1000+ CNY3.290 (CNY3.7177)2500+ CNY3.260 (CNY3.6838)5000+ CNY3.220 (CNY3.6386) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 非隔离 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, IGBT, MOSFET | 6引脚 | XFDFN | XFDFN | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 45ns | 45ns | EiceDRIVER 1ED | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY6.030 (CNY6.8139)10+ CNY4.100 (CNY4.633)100+ CNY3.510 (CNY3.9663)500+ CNY3.390 (CNY3.8307)1000+ CNY3.290 (CNY3.7177)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 非隔离 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, IGBT, MOSFET | 6引脚 | - | XFDFN | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 45ns | 45ns | EiceDRIVER 1ED | - | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY16.080 (CNY18.1704)250+ CNY15.280 (CNY17.2664)500+ CNY13.690 (CNY15.4697)1000+ CNY11.580 (CNY13.0854) | 最少:100 / 多个:1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT | 16引脚 | NSOIC | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 20V | -40°C | 125°C | 37ns | 35ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY23.760 (CNY26.8488)10+ CNY21.300 (CNY24.069)25+ CNY20.140 (CNY22.7582)50+ CNY18.800 (CNY21.244)100+ CNY17.460 (CNY19.7298)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | GaN HEMT | 13引脚 | - | LGA | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 20V | -40°C | 125°C | 37ns | 37ns | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY40.060 (CNY45.2678)10+ CNY28.720 (CNY32.4536)98+ CNY27.410 (CNY30.9733)196+ CNY26.110 (CNY29.5043)294+ CNY25.850 (CNY29.2105)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 0 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | NSOIC | 表面安装 | CMOS | 4A | 4A | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 46ns | 46ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY2.490 (CNY2.8137)500+ CNY2.450 (CNY2.7685)1000+ CNY2.400 (CNY2.712)2500+ CNY2.370 (CNY2.6781)5000+ CNY2.330 (CNY2.6329) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 非隔离 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, SJ MOSFET, SiC MOSFET | 6引脚 | - | SOT-23 | 表面安装 | 反相, 非反相 | 4A | 8A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 45ns | 45ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY5.010 (CNY5.6613)10+ CNY3.200 (CNY3.616)100+ CNY2.490 (CNY2.8137)500+ CNY2.450 (CNY2.7685)1000+ CNY2.400 (CNY2.712)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 非隔离 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, SJ MOSFET, SiC MOSFET | 6引脚 | - | SOT-23 | 表面安装 | 反相, 非反相 | 4A | 8A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 45ns | 45ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY133.010 (CNY150.3013)10+ CNY105.850 (CNY119.6105)25+ CNY99.040 (CNY111.9152)100+ CNY91.650 (CNY103.5645)250+ CNY84.620 (CNY95.6206)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 2放大器 | - | - | MOSFET | 8引脚 | - | TDFN-EP | 表面安装 | 反相, 非反相 | 4A | 4A | 4V | 15V | -40°C | 125°C | 20ns | 20ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 10+ CNY105.850 (CNY119.6105)25+ CNY99.040 (CNY111.9152)100+ CNY91.650 (CNY103.5645)250+ CNY84.620 (CNY95.6206)2500+ CNY79.490 (CNY89.8237) | 最少:10 / 多个:1 | 2放大器 | - | - | MOSFET | 8引脚 | - | TDFN-EP | 表面安装 | 反相, 非反相 | 4A | 4A | 4V | 15V | -40°C | 125°C | 20ns | 20ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY5.980 (CNY6.7574)10+ CNY3.830 (CNY4.3279)100+ CNY3.140 (CNY3.5482)500+ CNY3.000 (CNY3.390)1000+ CNY2.890 (CNY3.2657)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 2放大器 | 非隔离 | 低压侧 | GaN HEMT, IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 4A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 19ns | 19ns | - | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY22.330 (CNY25.2329)10+ CNY13.380 (CNY15.1194)50+ CNY12.410 (CNY14.0233)100+ CNY11.430 (CNY12.9159)250+ CNY10.770 (CNY12.1701)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 2放大器 | - | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 4A | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 170ns | 170ns | - | - | |||||
3005817 RoHS | 每个 | 1+ CNY56.790 (CNY64.1727)10+ CNY49.690 (CNY56.1497)25+ CNY41.170 (CNY46.5221)50+ CNY36.910 (CNY41.7083)100+ CNY34.070 (CNY38.4991)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 2放大器 | - | 高压侧和低压侧 | MOSFET | 14引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 4A | 10V | 18V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | - | - | ||||
IXYS SEMICONDUCTOR | 每个 | 1+ CNY11.770 (CNY13.3001)10+ CNY11.240 (CNY12.7012)50+ CNY10.710 (CNY12.1023)100+ CNY10.180 (CNY11.5034)250+ CNY9.650 (CNY10.9045)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 2放大器 | - | 低压侧 | MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 4A | 4.5V | 35V | -40°C | 125°C | 29ns | 35ns | - | - | ||||
每个 | 1+ CNY47.270 (CNY53.4151)10+ CNY37.270 (CNY42.1151)25+ CNY29.210 (CNY33.0073)50+ CNY28.630 (CNY32.3519) | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | - | 低压侧 | MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 4A | 4.5V | 16V | -40°C | 85°C | 18ns | 18ns | - | - |