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栅极驱动器:
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| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY34.820 (CNY39.3466)10+ CNY23.220 (CNY26.2386)25+ CNY21.460 (CNY24.2498)50+ CNY20.030 (CNY22.6339)100+ CNY18.590 (CNY21.0067)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | - | DSO | 表面安装 | 反相, 非反相 | 6A | 8.5A | 3.1V | 5.5V | -40°C | 150°C | 85ns | 85ns | EiceDRIVER 1ED332xMC12N系列 | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY18.590 (CNY21.0067)250+ CNY17.710 (CNY20.0123)500+ CNY15.880 (CNY17.9444)1000+ CNY13.220 (CNY14.9386) | 最少：100 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | DSO | DSO | 表面安装 | 反相, 非反相 | 6A | 8.5A | 3.1V | 5.5V | -40°C | 150°C | 85ns | 85ns | EiceDRIVER 1ED332xMC12N系列 | - | |||||
INFINEON | 单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY13.220 (CNY14.9386)10+ CNY9.180 (CNY10.3734)50+ CNY8.710 (CNY9.8423)100+ CNY8.240 (CNY9.3112)250+ CNY7.720 (CNY8.7236)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 10A | 9.4A | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | - | - | ||||
INFINEON | 单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY23.230 (CNY26.2499)10+ CNY17.410 (CNY19.6733)25+ CNY15.920 (CNY17.9896)50+ CNY15.130 (CNY17.0969)100+ CNY14.350 (CNY16.2155)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | - | 14A | 14A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED | - | ||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY10.480 (CNY11.8424) | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | EiceDRIVER 1ED | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.910 (CNY22.4983)10+ CNY17.530 (CNY19.8089)25+ CNY16.680 (CNY18.8484)50+ CNY15.810 (CNY17.8653)100+ CNY14.950 (CNY16.8935)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | EiceDRIVER 1ED | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY25.550 (CNY28.8715)10+ CNY19.260 (CNY21.7638)25+ CNY19.140 (CNY21.6282)50+ CNY19.020 (CNY21.4926)100+ CNY18.900 (CNY21.357)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | SiC MOSFET | 36引脚 | - | SO-36W | 表面安装 | 反相 | 4A | 4A | 3.1V | 5.5V | -40°C | 125°C | 75ns | 75ns | - | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY18.810 (CNY21.2553)10+ CNY16.870 (CNY19.0631) | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 隔离型 | SiC MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | - | 4A | 4A | 3.1V | 5.5V | -50°C | 150°C | 75ns | 75ns | - | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY24.270 (CNY27.4251)10+ CNY17.850 (CNY20.1705)25+ CNY16.280 (CNY18.3964)50+ CNY15.690 (CNY17.7297)100+ CNY15.090 (CNY17.0517)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | - | WSOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 14A | 14A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED31xxMC12H | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY17.250 (CNY19.4925)10+ CNY11.730 (CNY13.2549)50+ CNY11.210 (CNY12.6673)100+ CNY10.680 (CNY12.0684)250+ CNY10.090 (CNY11.4017)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 13.5A | 14A | 3.1V | 15V | -40°C | 150°C | 90ns | 90ns | - | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY20.060 (CNY22.6678)10+ CNY15.650 (CNY17.6845)25+ CNY14.550 (CNY16.4415)50+ CNY13.930 (CNY15.7409)100+ CNY13.310 (CNY15.0403)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | EiceDRIVER 1ED | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY15.990 (CNY18.0687)10+ CNY11.040 (CNY12.4752)50+ CNY9.410 (CNY10.6333)100+ CNY8.780 (CNY9.9214) | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 隔离型 | SiC MOSFET | 8引脚 | - | NSOIC | 表面安装 | - | 4A | 4A | 3.1V | 5.5V | -50°C | 125°C | 75ns | 75ns | - | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY16.340 (CNY18.4642)10+ CNY14.090 (CNY15.9217)100+ CNY11.470 (CNY12.9611) | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 隔离型 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | WSOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 6.5A | 6.5A | 3.1V | 20V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | - | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY24.490 (CNY27.6737)10+ CNY14.860 (CNY16.7918)100+ CNY12.690 (CNY14.3397) | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 隔离型 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | WSOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 6.5A | 6.5A | 3.1V | 20V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | - | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY18.900 (CNY21.357)250+ CNY18.780 (CNY21.2214)500+ CNY18.660 (CNY21.0858)1000+ CNY18.540 (CNY20.9502) | 最少：100 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | SiC MOSFET | 36引脚 | SO-36W | SO-36W | 表面安装 | 反相 | 4A | 4A | 3.1V | 5.5V | -40°C | 125°C | 75ns | 75ns | - | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY8.780 (CNY9.9214) | 最少：100 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 隔离型 | SiC MOSFET | 8引脚 | NSOIC | NSOIC | 表面安装 | - | 4A | 4A | 3.1V | 5.5V | -50°C | 125°C | 75ns | 75ns | - | - | |||||
INFINEON | 单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY22.850 (CNY25.8205)10+ CNY17.120 (CNY19.3456)25+ CNY15.720 (CNY17.7636)50+ CNY14.920 (CNY16.8596)100+ CNY14.110 (CNY15.9443)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | - | 14A | 14A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED | - | ||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY20.760 (CNY23.4588)10+ CNY13.830 (CNY15.6279)50+ CNY13.310 (CNY15.0403)100+ CNY12.780 (CNY14.4414)250+ CNY12.030 (CNY13.5939)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | - | WSOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 5.5A | 5.5A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED31xxMC12H | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY14.550 (CNY16.4415)10+ CNY9.920 (CNY11.2096)50+ CNY9.660 (CNY10.9158)100+ CNY9.410 (CNY10.6333)250+ CNY8.900 (CNY10.057)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 10A | 9A | 3.1V | 15V | -40°C | 150°C | 90ns | 90ns | - | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY31.070 (CNY35.1091)10+ CNY15.610 (CNY17.6393)100+ CNY14.790 (CNY16.7127)500+ CNY13.980 (CNY15.7974)1000+ CNY13.160 (CNY14.8708)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 隔离型 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | WSOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 6.5A | 6.5A | 3.1V | 20V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | - | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY22.330 (CNY25.2329)10+ CNY16.660 (CNY18.8258)25+ CNY15.090 (CNY17.0517)50+ CNY14.420 (CNY16.2946)100+ CNY13.740 (CNY15.5262)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | - | WSOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 10A | 9A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED31xxMC12H | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY28.500 (CNY32.205)10+ CNY16.900 (CNY19.097)100+ CNY12.120 (CNY13.6956)500+ CNY11.990 (CNY13.5487)1000+ CNY11.850 (CNY13.3905)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 隔离型 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | WSOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 6.5A | 6.5A | 3.1V | 20V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | - | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY16.800 (CNY18.984)10+ CNY11.650 (CNY13.1645)100+ CNY9.490 (CNY10.7237)500+ CNY9.220 (CNY10.4186)2500+ CNY8.940 (CNY10.1022)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 隔离型 | IGBT | 8引脚 | - | NSOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 6.5A | 6.5A | 3.1V | 20V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | - | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY23.870 (CNY26.9731)10+ CNY17.930 (CNY20.2609)25+ CNY16.460 (CNY18.5998)50+ CNY15.660 (CNY17.6958)100+ CNY14.850 (CNY16.7805)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | - | WSOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 14A | 14A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED31xxMC12H | - | |||||
INFINEON | 单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY8.240 (CNY9.3112)250+ CNY7.720 (CNY8.7236)500+ CNY7.430 (CNY8.3959)1000+ CNY7.170 (CNY8.1021)2500+ CNY6.920 (CNY7.8196) | 最少：100 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 10A | 9.4A | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | - | - | ||||
