打印页面
BSS138DW-7-F
双路场效应管, MOSFET, N通道, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号BSS138DW-7-F
库存编号1713832
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道50V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道200mA
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道3.5ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道200mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
BSS138DW-7-F 是一款双 N 沟道增强型 MOSFET，旨在最大限度地降低导通电阻 RDS (ON)，同时保持出色的开关性能。它是负载开关应用的理想之选。
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关性能
- 无卤素
- UL94V-0 易燃性等级
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
漏源电压Vds N沟道
50V
连续漏极电流 Id N沟道
200mA
漏源通态电阻N沟道
3.5ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
BSS138DW-7-F 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006