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BSS138DW-7-F
双路场效应管, MOSFET, N通道, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号BSS138DW-7-F
库存编号1713832RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds50V
漏源电压Vds N沟道50V
电流, Id 连续200mA
漏源电压Vds P沟道-
在电阻RDS（上）3.5ohm
连续漏极电流 Id N沟道200mA
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道3.5ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值1.2V
针脚数6引脚
功耗 Pd200mW
耗散功率N沟道200mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The BSS138DW-7-F is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET been designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance. It is ideal for load switch applications.
- Low ON-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching performance
- Halogen-free
- UL94V-0 Flammability rating
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
50V
电流, Id 连续
200mA
在电阻RDS（上）
3.5ohm
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
3.5ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
1.2V
功耗 Pd
200mW
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
50V
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
200mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOT-363
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
-
BSS138DW-7-F 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006