打印页面
BSS84DW-7-F
双路场效应管, MOSFET, P通道, 50 V, 130 mA
包装选项
2,647 有货
需要更多？
2647 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY1.390 (CNY1.5707) |
| 500+ | CNY0.904 (CNY1.0215) |
| 1500+ | CNY0.886 (CNY1.0012) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 100
多件: 5
CNY139.00 (CNY157.07 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号BSS84DW-7-F
库存编号1713835RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds50V
漏源电压Vds N沟道-
电流, Id 连续130mA
漏源电压Vds P沟道50V
在电阻RDS（上）10ohm
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道130mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道-
Rds(on)测试电压5V
漏源导通电阻P沟道10ohm
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值1.6V
针脚数6引脚
功耗 Pd300mW
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道300mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The BSS84DW-7-F is a dual P-channel enhancement-mode MOSFET been designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance. It is ideal for general purpose interfacing switch and analogue switch applications.
- Low ON-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching performance
- Halogen-free
- UL94V-0 Flammability rating
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
50V
电流, Id 连续
130mA
在电阻RDS（上）
10ohm
连续漏极电流 Id P沟道
130mA
漏源通态电阻N沟道
-
漏源导通电阻P沟道
10ohm
阈值栅源电压最大值
1.6V
功耗 Pd
300mW
耗散功率P沟道
300mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
-
漏源电压Vds P沟道
50V
连续漏极电流 Id N沟道
-
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
5V
晶体管封装类型
SOT-363
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
-
BSS84DW-7-F 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006