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DMC3021LSD-13
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC3021LSD-13
库存编号3577044RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续8.5A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.014ohm
连续漏极电流 Id N沟道8.5A
连续漏极电流 Id P沟道8.5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.014ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.014ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1.45V
针脚数8引脚
功耗 Pd2.5W
耗散功率N沟道2.5W
耗散功率P沟道2.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
8.5A
在电阻RDS（上）
0.014ohm
连续漏极电流 Id P沟道
8.5A
漏源通态电阻N沟道
0.014ohm
漏源导通电阻P沟道
0.014ohm
阈值栅源电压最大值
1.45V
功耗 Pd
2.5W
耗散功率P沟道
2.5W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
8.5A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002