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DMC3028LSD
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.028 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC3028LSD
库存编号2061402
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道5.5A
连续漏极电流 Id P沟道5.5A
漏源通态电阻N沟道0.028ohm
漏源导通电阻P沟道0.028ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.3W
耗散功率P沟道1.3W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The DMC3028LSD is a 30V Complementary Dual Enhancement Mode MOSFET with matte tin annealed over copper lead frame terminals solderable as per MIL-STD-202 standard, method 208. it is ideal for high efficiency power management applications such as DC-DC converters and backlighting.
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- UL94V-0 Flammability rating
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
5.5A
漏源导通电阻P沟道
0.028ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.3W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
5.5A
漏源通态电阻N沟道
0.028ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
1.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000227