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DMC3028LSD
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.028 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC3028LSD
库存编号2061402RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续5.5A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.028ohm
连续漏极电流 Id N沟道5.5A
连续漏极电流 Id P沟道5.5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.028ohm
漏源导通电阻P沟道0.028ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1V
晶体管封装类型SOIC
功耗 Pd1.3W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.3W
耗散功率P沟道1.3W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The DMC3028LSD is a 30V Complementary Dual Enhancement Mode MOSFET with matte tin annealed over copper lead frame terminals solderable as per MIL-STD-202 standard, method 208. it is ideal for high efficiency power management applications such as DC-DC converters and backlighting.
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- UL94V-0 Flammability rating
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
5.5A
在电阻RDS（上）
0.028ohm
连续漏极电流 Id P沟道
5.5A
漏源通态电阻N沟道
0.028ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.3W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
5.5A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.028ohm
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
1.3W
耗散功率N沟道
1.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000227