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DMG1029SV-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG1029SV-7
库存编号2543528RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
电流, Id 连续500mA
在电阻RDS（上）1.3ohm
连续漏极电流 Id N沟道500mA
连续漏极电流 Id P沟道360mA
漏源通态电阻N沟道1.7ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道4ohm
阈值栅源电压最大值2.5V
晶体管封装类型SOT-563
功耗 Pd450mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道450mW
耗散功率P沟道450mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
DMG1029SV-7 is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include general-purpose interfacing switch, power management functions, analogue switch.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Ultra-small surface mount package
- Drain-source voltage is 60V at TA = +25°C, (P/N-channel)
- Continuous drain current is 500mA at TA = +25°C, steady state, VGS = 10V, (P/N-channel)
- Total power dissipation is 0.45W at TA = +25°C, (P/N-channel)
- Static drain-source on-resistance is 1.3ohm at VGS = 10V, ID = 500mA, (P/N-channel)
- SOT563 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
1.3ohm
连续漏极电流 Id P沟道
360mA
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
4ohm
晶体管封装类型
SOT-563
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
450mW
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
电流, Id 连续
500mA
连续漏极电流 Id N沟道
500mA
漏源通态电阻N沟道
1.7ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
功耗 Pd
450mW
耗散功率N沟道
450mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005