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DMG3415UFY4Q-7
功率场效应管, MOSFET, P通道, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.430 (CNY5.0059) |
| 10+ | CNY2.970 (CNY3.3561) |
| 100+ | CNY1.880 (CNY2.1244) |
| 500+ | CNY1.480 (CNY1.6724) |
| 1000+ | CNY1.310 (CNY1.4803) |
| 5000+ | CNY1.160 (CNY1.3108) |
包装规格：单件（切割供应）
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多件: 5
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG3415UFY4Q-7
库存编号3943489
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds16V
电流, Id 连续2.5A
漏源接通状态电阻0.031ohm
晶体管封装类型X2-DFN2015
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值550mV
功率耗散650mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2.5A
晶体管封装类型
X2-DFN2015
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
650mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
16V
漏源接通状态电阻
0.031ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
550mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001