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DMN2056U-7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 50+ | CNY0.655 (CNY0.7402) |
| 100+ | CNY0.525 (CNY0.5933) |
| 500+ | CNY0.490 (CNY0.5537) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN2056U-7
库存编号2709529
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续4A
漏源接通状态电阻0.038ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值600mV
功率耗散660mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
DMN2056U-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include battery charging, power management functions, DC-DC converters, portable power adaptors.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage
- Drain-source voltage is 20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±8V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 4.0A at TA = +25°C, steady state, VGS = 4.5V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is 22A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.66W at TA = +25°C
- SOT23 (standard) package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
4A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
660mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.038ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
600mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
DMN2056U-7 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008