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ZXMC10A816N8TC
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.23 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXMC10A816N8TC
库存编号3405249RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压, Vds100V
漏源电压Vds P沟道100V
电流, Id 连续2.1A
连续漏极电流 Id N沟道2.1A
在电阻RDS（上）0.17ohm
连续漏极电流 Id P沟道2.1A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.23ohm
漏源导通电阻P沟道0.235ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值3V
针脚数8引脚
功耗 Pd2.1W
耗散功率N沟道2.1W
耗散功率P沟道2.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
100V
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
2.1A
连续漏极电流 Id P沟道
2.1A
漏源通态电阻N沟道
0.23ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
3V
功耗 Pd
2.1W
耗散功率P沟道
2.1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
100V
电流, Id 连续
2.1A
在电阻RDS（上）
0.17ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.235ohm
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002