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ZXMHC10A07T8TA
双路场效应管, MOSFET, 补充双N和双P沟道, 100 V, 100 V, 1 A, 1 A, 0.7 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXMHC10A07T8TA
库存编号3944182RL
技术数据表
晶体管极性补充双N和双P沟道
通道类型补充双N和双P沟道
漏源电压, Vds100V
漏源电压Vds N沟道100V
电流, Id 连续1A
漏源电压Vds P沟道100V
在电阻RDS（上）0.7ohm
连续漏极电流 Id N沟道1A
连续漏极电流 Id P沟道1A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.7ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.7ohm
晶体管封装类型SOT-223
阈值栅源电压最大值4V
针脚数8引脚
功耗 Pd1.3W
耗散功率N沟道1.3W
耗散功率P沟道1.3W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
补充双N和双P沟道
漏源电压, Vds
100V
电流, Id 连续
1A
在电阻RDS（上）
0.7ohm
连续漏极电流 Id P沟道
1A
漏源通态电阻N沟道
0.7ohm
漏源导通电阻P沟道
0.7ohm
阈值栅源电压最大值
4V
功耗 Pd
1.3W
耗散功率P沟道
1.3W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
补充双N和双P沟道
漏源电压Vds N沟道
100V
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
1A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOT-223
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001